Транзистор кт837 характеристики цоколевка

Транзисторы КТ837(2Т837) и КТ829.

Транзисторы КТ837(2Т837)

Т ранзисторы КТ837(2Т837) — кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры — p-n-p.
Корпус металло-пластик. Маркировка буквенно — цифровая.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока У транзисторов КТ837А, КТ837Б, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Ж, КТ837И, КТ837Т — от 10 до 40
У транзисторов КТ837В, КТ837Е, КТ837К, КТ837М, КТ837П, КТ837У — от 20 до 80
У транзисторов КТ837Н, КТ837Ф — от 50 до 150
У транзисторов 2Т837А, 2Т837Г — от 15 до 120
У транзисторов 2Т837Б, 2Т837Д — от 30 до 150
У транзисторов 2Т837В, 2Т837Е — от 40 до 180

Граничная частота передачи тока. — 3МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзисторов КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837М, КТ837Л, КТ837Н — 60 в.
У транзисторов КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837П, КТ837Р, КТ837С — 45 в.
У транзисторов КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф — 30 в.
У транзисторов 2Т837А, 2Т837Г — 55 в.
У транзисторов 2Т837Д, 2Т837Б — 45 в.
У транзисторов 2Т837В, 2Т837Е — 35 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный). У всех транзисторов КТ837 — 7,5 А.
У всех транзисторов 2Т837 — 8 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер.
У транзисторов КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Ж, КТ837К, КТ837Л, КТ837М, КТ837Н — не более 2,5 в.
У транзисторов КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф — не более 0,5 в.
У транзисторов КТ837П, КТ837Р, КТ837С — не более 0,9 в.

Обратный ток коллектора. — не более 0,15 мА.

Рассеиваемая мощность коллектора. — 30 Вт(с радиатором).

Зарубежные аналоги транзисторов КТ837

КТ837А — 2SD685
КТ837Б — 2T7534C
КТ837В — 2SB834, 2SB906
КТ837Д — 2N6111

Транзисторы КТ829

Транзисторы КТ829 — кремниевые, мощные, низкочастотные,составные(схема Дарлингтона) структуры — n-p-n.
Корпус металло-пластиковый. Применяются в усилительных и генераторных схемах.

Внешний вид и расположение выводов на рисунке:

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока — 750.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов КТ829А — 100в.
У транзисторов КТ829Б — 80в.
У транзисторов КТ829А — 60в.
У транзисторов КТ829Г — 45в.

Максимальный ток коллектора — 8 А.

Обратный ток коллектор-эмиттер при напряжении эмиттер-коллектор близкому к максимальному и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию — не более 1,5 мА.
При температуре окружающей среды +85 по Цельсию — не более 3 мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 5в — не более 2 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 3,5А и базовом 14мА — не более 2 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 3,5А и базовом 14мА:
— не более 2,5 в.

Рассеиваемая мощность коллектора. — 60 Вт(с радиатором).

Граничная частота передачи тока — 4 МГц.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ829

КТ829А — 2SD686
КТ829Б — BD263
КТ829В — TIP122
КТ829Д — BDX53E

Особености проверки(прозвонки)на целосность транзисторов КТ829.

Так как транзистор КТ829 является составным, его вполне можно заменить несложной схемой КТ817+КТ819.

Не удивительно, что при проверки тестером переход база-эмиттер будет звониться в обе стороны, причем у разных КТ829 может наблюдаться значительный разброс по значению обратного сопротивления. От суммы сопротивлений изображенных в схеме на картинке, до гораздо меньших значений (7 кОм, к примеру). Отчего разброс так велик, автору доподлинно не известно, но то что на работоспособность КТ829 это влияет незначительно — это точно. Ведь имеющееся сопротивление эмиттер-база всего лишь слегка «подпирает» транзистор.

Транзисторы — купить. или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х? образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например — «Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться выпаять необходимые транзисторы из ее схем.
Например, транзисторы КТ837 можно обнаружить в блоке усилителя активной акустической системы 35АС-013(Радиотехника S-70).
в усилителях «Радиотехника У-7101 стерео,» «Радиотехника У-101 стерео.» На главную страницу
В начало

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Транзистор КТ837Ф

Перечень и количество драгметаллов которые можно извлечь из транзистора КТ837Ф.

Информация из справочников производителей. Справочник содержания драгметаллов (золота, серебра, платины и МПГ) в транзисторе с указанием его веса которые используются (или использовались) при производстве в радиотехнике.

Содержание драгоценных металлов в транзисторе КТ837Ф.
Золото: 0,0171 грамм.
Серебро: 0 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий: 0 грамм.
На основании информации: Из Перечней МЧС.

Транзистор (англ. transistor), полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи. Обычно используется для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов. В общем случае транзистором называют любое устройство, которое имитирует главное свойство транзистора – изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде.

Читать еще: Кабель пвс характеристики применение

В полевых и биполярных транзисторах управление током в выходной цепи осуществляется за счёт изменения входного напряжения или тока. Небольшое изменение входных величин может приводить к существенно большему изменению выходного напряжения и тока. Это усилительное свойство транзисторов используется в аналоговой технике (аналоговые ТВ, радио, связь и т. п.). В настоящее время в аналоговой технике доминируют биполярные транзисторы (БТ) (международный термин — BJT, bipolar junction transistor). Другой важнейшей отраслью электроники является цифровая техника (логика, память, процессоры, компьютеры, цифровая связь и т. п.), где, напротив, биполярные транзисторы почти полностью вытеснены полевыми.

А теперь давайте поговорим о полевых транзисторах. Что можно предположить уже по одному их названию? Во-первых, поскольку они транзисторы, то с их помощью можно как-то управлять выходным током. Во-вторых, у них предполагается наличие трех контактов. И в-третьих, в основе их работы лежит p-n переход. Что нам на это скажут официальные источники?

Полевыми транзисторами называют активные полупроводниковые приборы, обычно с тремя выводами, в которых выходным током управляют с помощью электрического поля.

Определение не только подтвердило наши предположения, но и продемонстрировало особенность полевых транзисторов — управление выходным током происходит посредством изменения приложенного электрического поля, т.е. напряжения. А вот у биполярных транзисторов, как мы помним, выходным током управляет входной ток базы.

Еще один факт о полевых транзисторах можно узнать, обратив внимание на их другое название — униполярные. Это значит, что в процессе протекания тока у них участвует только один вид носителей заряда (или электроны, или дырки).

Три контакта полевых транзисторов называются исток (источник носителей тока), затвор (управляющий электрод) и сток (электрод, куда стекают носители). Структура кажется простой и очень похожей на устройство биполярного транзистора. Но реализовать ее можно как минимум двумя способами. Поэтому различают полевые транзисторы с управляющим p-n переходом и с изолированным затвором.

Схема транзистора и схемы включения транзистора.

Любой усилитель, независимо от частоты, содержит от одного до нескольких каскадов усиления. Для того, чтобы иметь представление по схемотехнике транзисторных усилителей, рассмотрим более подробно их принципиальные схемы.

Транзисторные каскады, в зависимости от вариантов подключения транзисторов, подразделяются на:

1 Каскад с общим эмиттером (на схеме показан каскад с фиксированным током базы – это одна из разновидностей смещения транзистора).
2 Каскад с общим коллектором
3 Каскад с общей базой

Параметры транзисторов
UКБО – максимально допустимое напряжение коллектор – база;
UКБО и – максимально допустимое импульсное напряжение коллектор – база;
UКЭО – максимально допустимое напряжение коллектор – эмиттер;
UКЭО и – максимально допустимое импульсное напряжение коллектор -эмиттер;
UКЭН – напряжение насыщения коллектор – эмиттер;
UСИ max – максимально допустимое напряжение сток – исток;
UСИО – напряжение сток – исток при оборванном затворе;
UЗИ max – максимально допустимое напряжение затвор – исток;
UЗИ отс – Напряжение отсечки транзистора, при котором ток стока дости-гает заданного низкого значения (для полевых транзисторов с р-n переходом, и с изолированным затвором);
UЗИ пор – Пороговое напряжение транзистора между затвором и стоком, при котором ток стока достигает заданного низкого значения (для полевых тран-зисторов с изолированным затвором и п-каналом);
IK max – максимально допустимый постоянный ток коллектора;
IK max и – максимально допустимый импульсный ток коллектора;
IC max – максимально допустимый постоянный ток стока;
IC нач – начальный ток стока;
IC ост – остаточный ток стока;
IКБО – обратный ток коллектора;
РК max – максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода;
РК max т – максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом;
РСИ max – максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность сток – исток;
H21Э – статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером;
RСИ отк – сопротивление сток – исток в открытом состоянии;
S – крутизна характеристики;
fГР. – граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером;
КШ – коэффициент шума биполярного (полевого) транзистора;

Схемы включения транзистора

Для включения в схему транзистор должен иметь четыре вывода — два входных и два выходных. Но транзисторы всех разновидностей имеют только три вывода. Для включения трёхвыводного прибора необходимо один из выводов объединить, и поскольку таких комбинаций может быть только три, то существуют три базовых схемы включения транзистора:
Схемы включения биполярного транзистора

с общим эмиттером (ОЭ) — осуществляет усиление как по току, так и по напряжению — наиболее часто применяемая схема;
с общим коллектором (ОК) — осуществляет усиление только по току — применяется для согласования высокоимпедансных источников сигнала с низкоомными сопротивлениями нагрузок;
с общей базой (ОБ) — усиление только по напряжению, в силу своих недостатков в однотранзисторных каскадах усиления применяется редко (в основном в усилителях СВЧ), обычно в составных схемах (например, каскодных).

Схемы включения полевого транзистора

Полевые транзисторы, как с p-n переходом (канальные), так и МОП (МДП) имеют следующие схемы включения:

с общим истоком (ОИ) — аналог ОЭ биполярного транзистора;
с общим стоком (ОС) — аналог ОК биполярного транзистора;
с общим затвором (ОЗ) — аналог ОБ биполярного транзистора.

Читать еще: Структурная формула углекислого газа

Схемы с открытым коллектором (стоком)

«Открытым коллектором (стоком)» называют включение транзистора по схеме с общим эмиттером (истоком) в составе электронного модуля или микросхемы, когда коллекторный (стоковый) вывод не соединяется с другими элементами модуля (микросхемы), а непосредственно выводится наружу (на разъем модуля или вывод микросхемы). Выбор нагрузки транзистора и тока коллектора (стока) при этом оставляется за разработчиком конечной схемы, в составе которой применяются модуль или микросхема. В частности, нагрузка такого транзистора может быть подключена к источнику питания с более высоким или низким напряжением, чем напряжение питания модуля/микросхемы. Такой подход значительно расширяет рамки применимости модуля или микросхемы за счет небольшого усложнения конечной схемы. Транзисторы с открытым коллектором (стоком) применяются в логических элементах ТТЛ, микросхемах с мощными ключевыми выходными каскадами, преобразователях уровней, шинных формирователях (драйверах) и т. п.

Реже применяется обратное включение – с открытым эмиттером (истоком). Оно также позволяет выбирать нагрузку транзистора после изготовления основной схемы, подавать на эмиттер/сток напряжение полярности, противоположной напряжению питания основной схемы (например, отрицательное напряжение для схем с биполярными транзисторами n-p-n или N-канальными полевыми), и т.п.

Маркировка транзисторов – Цветовая и кодовая маркировка транзисторов.

Цветовая и кодовая маркировка транзисторов

Цветовая и кодовая маркировка транзисторов

Цветовая и кодовая маркировка транзисторов

Кодовая маркировка даты выпуска приборов
Год Кодированное обозначение
1983 R
1984 S
1985 Т
1986 U
1987 V
1988 W
1989 X
1990 A
1991 В
1992 С
1993 D
1994 E
1995 F
1996 H
1997 J
1998 K
1999 L
2000 N

Месяц Кодированное обозначение
Январь 1
Февраль 2
Март 3
Апрель 4
Май 5
Июнь 6
Июль 7
Август 8
Сентябрь 9
Октябрь 0
Ноябрь N
Декабрь D

Цветовая кодировка группы
Группа Цветная точка сверху
А Темно-красная
Б Желтая
В Темно-зеленая
Г Голубая
Д Синяя
Е Белая
Ж Темно-коричневая
И Серебристая
К Оранжевая
Л Светло-табачная
М Серая

Цоколевка транзисторов

При подборе аналогов деталей по схемам, всегда возникает вопрос правильного их монтажа на печатной плате. Цоколевка (распиновка) транзисторов. Вот сейчас хочу описать и выложить на одной странице цоколевки (распиновки) всех отечественных транзисторов, чтобы Вас вопрос расположения ножек транзисторов не вводило в заблуждение.

Транзисторы справочник – корпуса транзисторов

транзисторы справочник – корпуса транзисторов

Принцип работы Транзистора

В настоящее время находят применение транзисторы двух видов — биполярные и полевые. Биполярные транзисторы появились первыми и получили наибольшее распространение. Поэтому обычно их называют просто транзисторами. Полевые транзисторы появились позже и пока используются реже биполярных.

Биполярными транзисторы называют потому, что электрический ток в них образуют электрические заряды положительной и отрицательной полярности. Носители положительных зарядов принято называть дырками, отрицательные заряды переносятся электронами. В биполярном транзисторе используют кристалл из германия или кремния — основных полупроводниковых материалов, применяемых для изготовления транзисторов и диодов. Поэтому и транзисторы называют одни кремниевыми, другие — : германиевыми. Для обоих разновидностей биполярных транзисторов характерны свои особенности, которые обычно учитывают при проектировании устройств.

куплю транзисторы, транзистор цена

Если у вас есть больше информации о трансформаторе КТ837Ф сообщите ее нам мы бесплатно разместим ее на сайте.

Фото транзистор КТ837Ф:

Транзистор виды электронных компонентов

Характеристики транзистор КТ837Ф:

Купить или продать а также цены на транзистор КТ837Ф (куплю транзисторы, транзистор цена):

Оставьте отзыв или бесплатное объявление о покупке или продаже

КТ837Ф

В наличии лишь 1

Описание

КТ837Ф

Транзисторы КТ837Ф кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: КТ-28 (ТО-220).
Технические условия: аА0.336.403 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ837Ф:

• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 450 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА;
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 50… 150;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом

Характеристики транзисторов КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Л, КТ837М, КТ837Н, КТ837П, КТ837Р, КТ837С, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф, КТ837Х:

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:

• IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max — максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО— обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО— обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR — обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• f гр — граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК — емкость коллекторного перехода.
• СЭ — емкость коллекторного перехода.
• ТП max — максимально допустимая температура перехода.
• Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.

Читать еще: Расчет преобразователя на mc34063

Отзывы

Отзывов пока нет.

Только зарегистрированные клиенты, купившие этот товар, могут публиковать отзывы.

Транзистор кт837 характеристики цоколевка

2Т709А2, 2Т709Б2, 2Т709В2, 2Т716А1, 2Т716Б1, 2Т716В1, КТ812А, КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ, КТ805ИМ, КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, КТ835А, КТ835Б, КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Л, КТ837М, КТ837Н, КТ837П, КТ837Р, КТ837С, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф КТ858А, КТ859А, КТ812А, КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г, КТ850А, КТ850Б, КТ850В, КТ851А, КТ851Б, КТ851В, КТ852А, КТ852Б, КТ852В, КТ852Г, КТ853А, КТ853Б, КТ853В, КТ853Г, КТ854А, КТ854Б, КТ855А, КТ855Б, КТ855В, КТ857А, КТ863А, КТ899А, КТ8108А, КТ8108Б, КТ8109А, КТ8109Б, КТ8110А, КТ8110Б, КТ8110В, КТ8140А, КТ8116А, КТ8116Б, КТ8116В, КТ8118А, КТ8120А, КТ8121А, КТ8121Б, КТ8123А, КТ8124А, КТ8124Б, КТ8124В КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д, КТ203А, КТ203Б, КТ203В, КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3102Е, КТ3102Ж, КТ3102И, КТ3102К, КТ3108А, КТ3108Б, КТ3108В, КТ3117А, КТ3117Б, КТ3127А, КТ3128А, КТ313А, КТ313Б, КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д, КТ342А, КТ342Б, КТ342В, КТ347А, КТ347Б, КТ347В, КТ349А(исполнение1), КТ349Б(исполнение1), КТ349В(исполнение1), КТ363А, КТ363Б КТ208А, КТ208Б , КТ208В , КТ208Г , КТ208Д , КТ208Е , КТ208Ж , КТ208И , КТ208К , КТ208Л , КТ208М , КТ339А , КТ339Б , КТ339В , КТ339Г , КТ339Д , КТ501А , КТ501Б , КТ501В , КТ501Г , КТ501Д , КТ501Е , КТ501Ж , КТ501И , КТ501К , КТ501Л , КТ501М КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ, КТ203АМ, КТ203БМ, КТ203ВМ, КТ208А1, КТ208Б1, КТ208В1, КТ208Г1, КТ208Д1, КТ208Е1, КТ208Ж1, КТ208И1, КТ208К1, КТ208Л1, КТ208М1, КТ209А, КТ209Б, КТ209Б1, КТ209В, КТ209В1, КТ209В2, КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е, КТ209Ж, КТ209И, КТ209К, КТ209Л, КТ209М, КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е, КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е, КТ306АМ, КТ306БМ, КТ306ВМ, КТ306ГМ, КТ306ДМ, КТ3102АМ, КТ3102БМ, КТ3102ВМ, КТ3102ГМ, КТ3102ДМ, КТ3102ЕМ, КТ3102ЖМ, КТ3102ИМ, КТ3102КМ, КТ3107А, КТ3107Б, КТ3107В, КТ3107Г, КТ3107Д, КТ3107Е, КТ3107Ж, КТ3107И, КТ3107К, КТ3107Л, КТ3117А1, КТ3126А, КТ3126Б, КТ3128А1, КТ313АМ, КТ313БМ, КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ВМ, КТ316ГМ, КТ316ДМ, КТ349А(исполнение2), КТ349Б(исполнение2), КТ349В(исполнение2), КТ342АМ, КТ342БМ, КТ342ВМ, КТ342ГМ, КТ342ДМ, КТ345А, КТ345Б, КТ345В, КТ350А, КТ351А, КТ351Б, КТ352А, КТ352Б, КТ355АМ, КТ363АМ, КТ363БМ, КТ368АМ, КТ368БМ КТ306А, КТ306Б, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д КТ601АМ, КТ601АМ, КТ602АМ, КТ602БМ, КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г, КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г, КТ816А, КТ816А2, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г, КТ817А, КТ817Б, КТ817Б2, КТ817В, КТ817Г, КТ817Г2, КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КТ8130А, КТ8130Б, КТ8130В, КТ8131А, КТ8131Б, КТ8131В, КТ940А, КТ940Б, КТ940В, КТ961А, КТ961Б, КТ961В, КТ969А, КТ972А, КТ972Б, КТ973А, КТ973Б, КТ997А, КТ997Б, КТ9115А КТ3101А-2, КТ3115А-2, КТ3115В-2, КТ3115Г-2, КТ3123А-2, КТ3123Б-2, КТ3123В-2, КТ372А, КТ372Б, КТ372В, КТ391А-2, КТ391Б-2, КТ391В-2 КТ3109А, КТ3109Б, КТ3109В КТ312А, КТ312Б, КТ312В, КТ325А, КТ325Б, КТ325В КТ3120А, КТ371А, КТ382А, КТ382АМ, КТ382Б, КТ382БМ КТ3129А-9, КТ3129Б-9, КТ3129В-9, КТ3129Г-9, КТ3129Д-9, КТ3130А-9, КТ3130Б-9, КТ3130В-9, КТ3130Г-9, КТ3130Д-9, КТ3130Е-9, КТ3130Ж-9, КТ3168А-9 КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Г1, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И, КТ315Н, КТ315Р, КТ361А, КТ361Б, КТ361В, КТ361Г, КТ361Г1, КТ361Д, КТ361Е, КТ361Ж, КТ361И, КТ361К КТ3157А, КТ325АМ, КТ325БМ, КТ325ВМ, КТ339АМ КТ368А, КТ368Б, КТ399А, КТ399АМ КТ504А, КТ504Б, КТ504В, КТ505А, КТ505Б, КТ506А, КТ506Б КТ601А КТ602А, КТ602Б, КТ602В, КТ602Г, КТ801А, КТ801Б КТ807А, КТ807Б КТ872А, КТ872Б, КТ872В, КТ8111А, КТ8111Б, КТ8111В, КТ8114А, КТ8114Б, КТ8114В КТ879А, КТ879Б КТ886А1, КТ886Б1, КТ8127А1, КТ8127Б1, КТ8127В1 КТ890А, КТ890Б, КТ890В, КТ896А, КТ896Б, КТ896В, КТ898А, КТ898Б, КТ8101А, КТ8101Б, КТ8102А, КТ8102Б, КТ8106А, КТ8106Б, КТ8117А КТ898А1, КТ898Б1 КТ999А ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В ГТ328А, ГТ328Б, ГТ328В, ГТ346А, ГТ346Б, ГТ346В ГТ906А ГТ905А, ГТ905Б, ГТ906АМ 2Т713А, КТ812Б, КТ812В, 2Т812А, 2Т812Б, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ, 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ, 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В, 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е, КТ710А, КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ, КТ812Б, КТ812В, 2Т812А, 2Т812Б, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ, 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В, 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е, КТ826А, КТ826Б, КТ826В, КТ827А, КТ827Б, КТ827В, КТ828А, КТ828Б, КТ834А, КТ834Б, КТ834В, КТ838А, КТ839А, КТ840А, КТ840Б, КТ841А, КТ841Б, КТ841В, КТ846А, КТ846Б, КТ846В, КТ847А, КТ848А, КТ8127А, КТ8127Б, КТ8127В, КТ878А, КТ878Б, КТ878В, КТ892А, КТ892Б, КТ892В, КТ897А, КТ897Б, КТ8104А, КТ8105А, КТ8107А, КТ8107Б, КТ8107В, КТ8129А, КТ945А

Если все же у меня получился не полный список цоколевки (распиновки) транзисторов, то прошу это указать в комментариях к данному посту, или если вы заметите какие-либо ошибки, отклонения описания цоколевки (распиновки) транзисторов.